CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,平整性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是能够实现全局平面化的有效方法。
抛光液的主要产品可以按主要成分的不同分为以下几大类:金刚石抛光液(多晶金刚石抛光液、单晶金刚石抛光液和纳米金刚石抛光液)、氧化硅抛光液(即CMP抛光液)、氧化铈抛光液、氧化铝抛光液和碳化硅抛光液等几类。 [2]
多晶金刚石研磨液是利用多晶金刚石良好的韧性制成的研磨液,在研磨抛光过程中能够保持高磨削力的同时不易产生划伤,为后续精密抛光加工提供了良好的条件。广泛用于光学晶体、陶瓷、超硬合金等各种硬质材料的研磨和抛光。 [1]
应用领域
1、 光通讯领域,配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品,能达到超精细抛光效果,抛光后连接器端面没有划伤和缺陷,3D指标和反射衰减指标达到国际标准。
2、 硬盘基片的抛光,SiO2磨料呈球形,具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。
3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛,具有抛光速率高,抛光后易清洗,表面粗糙度低,能够得到总厚偏差(TTV)极小的质量表面。
4、其他领域的应用,如不锈钢、光学玻璃等领域,抛光后能达到良好的抛光效果