氧化铝和碳化硅抛光液 是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。 主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

半导体行业 CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

应用领域 1、 光通讯领域，配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品，能达到超精细抛光效果，抛光后连接器端面没有划伤和缺陷，3D指标和反射衰减指标达到国际标准。 2、 硬盘基片的抛光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。 3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛，具有抛光速率高，抛光后易清洗，表面粗糙度低，能够得到总厚偏差（TTV）极小的质量表面。 4、其他领域的应用，如不锈钢、光学玻璃等领域，抛光后能达到良好的抛光效果

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程。

LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。

生产二氧化硅抛光液，主要用于精密研磨抛光加工，深圳海德研磨的二氧化硅抛光液可达到纳米级，能有效改善表面粗超度，去除表面波纹，划痕，斑点等，抛光后可呈完美的镜面效果，光洁度高。另外该液体粒度分布均匀，分散性能好，使用时无需二次分散，无沉淀。

防锈的特点，能够保证不产生锈蚀，适当的加入防锈剂，需要要求防锈处理，主要是针对水性研磨抛光液而言，对于油性研磨抛光液，一般是不会产生锈蚀的问题。