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2022-07-29 11:57:01  1225次浏览 次浏览
价 格:面议

硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔,另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形,直径与厚度比约为20~60。在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全桥,其中两条位于压应力区,另两条处于拉应力区,相对于膜片中心对称。两种微型压力传感器的膜片,单位为毫米。此外,也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条,两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。

灵敏度高: 硅应变电阻的灵敏因子比金属应变片高50~100倍,故相应的传感器灵敏度很高,一般满量程输出为100mv左右。因此对接口电路无特殊要求,应用成本相应较低。由于它是一种非机械结构传感器,因而分辨率,国外称之无限,即主要受限于外界的检测读出仪表限制及噪声干扰限制,一般均可达传感器满量程的十万分之一以下。硅压阻传感器在零点附近的低量程段无死区,且线性优良。

交叉灵敏度分析

交叉灵敏度既与传感器应变片自身的压阻系数、弹性模量、温度系数有关,又与电桥的供电电压有关,因此应变和温度同时作用于传感器时,传感器的输出不是应变和温度单独作用时产生的输出量的简单迭加,还存在着热力学和力学量的相互作用,这个作用反映为交叉灵敏度,其大小反映了这种相互作用的程度。

实际上,交叉灵敏度反映了在不同应变时,温度灵敏度不是一个常数,而是随着应变的变化而变化,交叉灵敏度的大小描述了温度灵敏度偏离常数的程度。实验中通过在不同应变下测量温度灵敏度,作出ST-ε曲线,该曲线的斜率便反映了交叉灵敏度的大小。

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